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【高科厂务】武汉国家存储器基地高科厂务系统工程
项目概况
国家存储器基地位于武汉东湖高新区,建设3座全球单座洁净面积最大的3D、NAND、Flash FAB厂房,占地1968亩。
国家存储器基地的建立,以芯片制造环节为突破口,集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体,标志着芯片自主创新之路迈出可靠而重要的一步。
解决方案
技术亮点
同方承担了国家存储器基地工程(一期)三个阶段的MVLV包段、冷热水包段、FAB洁净室通风包段、工艺设备管线二次配多个专业系统的设备材料供应、安装施工管理及部分厂房的运维服务工作,完成从非核心区、核心区到机台产线一条龙的高科厂务系统工程,以核心科技赋能高科技制造业能源与环境服务,树立了行业标杆。
应用效果
为国家存储器基地工程提供优质的产业配套设施,高科技工厂机电系统节能及洁净系统环境服务能力持续跃升,为打造世界级的集成电路产业创新中心发挥积极作用。